இந்தியாவின் குறைமின்கடத்தி துறை ஊக்குவிப்பு: அதி-தீவிர புற ஊதாக் கதிர் லித்தோகிராபி மற்றும் கேலியம் நைட்ரைடு தொழில்நுட்பம்.

 தற்போதைய செய்தி ?


16-17 மே மாதம் 2026-ஆம் ஆண்டு பிரதமர் நரேந்திர மோடி அவர்கள் நெதர்லாந்து நாட்டிற்கு அதிகாரப்பூர்வப் பயணம் மேற்கொண்டபோது, இந்தியாவின் குறைமின்கடத்தி உற்பத்தி இலக்கு ஒரு மிகப்பெரிய ஊக்கத்தைப் பெற்றது. இந்தப் பயணத்தின் போது, பிரதமர் மோடி அவர்களும் நெதர்லாந்தின் பிரதமர் ராப் ஜெட்டன் அவர்களும் குறைமின்கடத்திகள், முக்கியமான கனிமங்கள், இடப்பெயர்வு, நீர் மேலாண்மை மற்றும் புதுப்பிக்கத்தக்க ஆற்றல் உள்ளிட்ட பல்வேறு துறைகள் சார்ந்த 17 முக்கிய ஒப்பந்தங்களில் கையெழுத்திட்டனர்.



முக்கிய அம்சங்கள்:


1. குறைமின்கடத்திகளுக்கான ஒரு பெரிய மாற்றத்தின் ஒரு பகுதியாக, தோலேராவில் அமையவிருக்கும் தனது 300 மிமீ (12-அங்குல) குறைமின்கடத்தி உற்பத்தி ஆலையை நிறுவுவதற்கும், அதன் உற்பத்தியை அதிகரிப்பதற்கும் ஆதரவளிக்கும் வகையில், ‘Tata Electronics’ மற்றும் ‘Advanced Semiconductor Materials Lithography, ஆகிய நிறுவனங்களுக்கிடைய குறைமின்கடத்திகளுக்கான ஒரு புரிந்துணர்வு ஒப்பந்தம் கையெழுத்தானது. இது இந்தியாவின் குறைமின்கடத்தி உற்பத்தி இலக்குகளில் மிகப்பெரிய முன்னேற்றதை குறிக்கிறது.


2. ‘Advanced Semiconductor Materials Lithography’ நிறுவனம் ராஜதந்திர ரீதியாக ஏன் முக்கியமானது? மேம்பட்ட குறைமின்கடத்திகளை உற்பத்தி செய்யத் தேவைப்படும் மிகவும் அதிநவீன அமைப்புகளான, அதி-தீவிர புற ஊதா (extreme ultraviolet (EUV)) லித்தோகிராபி இயந்திரங்களை உற்பத்தி செய்யும் உலகின் ஒரே நிறுவனம் ‘Advanced Semiconductor Materials Lithography’ நிறுவனம் ஆகும். ‘Advanced Semiconductor Materials Lithography’ நிறுவனத்தின் இயந்திரங்கள் இல்லாமல், அதிநவீன சில்லுகளின் உற்பத்தி  ஏறக்குறைய சாத்தியமற்றதாகிவிடும்.


3. ‘Advanced Semiconductor Materials Lithography’ நிறுவனத்தின் கூற்றுப்படி, அதி தீவிர-புற ஊதா லித்தோகிராபி 13.5 நானோமீட்டர் அலைநீளம் கொண்ட ஒளியைப் பயன்படுத்தி மைக்ரோசிப்களை அச்சிடுகிறது. இது ஏறக்குறைய எக்ஸ்-கதிர் வீச்சு வரம்பிற்குச் சமமானது. லித்தோகிராபி, முறையாக 'ஒளி கல்லச்சு வரைவியல்' (photolithography’) என்று அழைக்கப்படுகிறது. அச்சிடப்பட வேண்டிய வடிவத்தின் வரைபடத்தின் (இதனை ‘மாஸ்க்’ அல்லது ‘ரெட்டிக்கிள்’ என்று அழைக்கின்றனர்) வழியாக ஒளி செலுத்தப்பட்டு இந்த வடிவங்கள் சிப்பில் உருவாக்கப்படுகின்றன. 



4. இந்தச் சிப் வடிவமைப்பு முறை ஒளியின் மூலம் குறியீடாக்கப்படுகிறது. இது கணினியின் ஒளியியல் அமைப்பை சுருக்கி, அந்த வடிவத்தை ஒளியால் பாதிக்கப்படக்கூடிய ஒரு சிப் தயாரிக்கப் பயன்படும் வட்ட வடிவ சிலிக்கான் தட்டு (Photosensitive silicon wafer)) மீது துல்லியமாகக் குவிக்க உதவுகிறது. ஒரு முறை வடிவமைப்பு அச்சிடப்பட்ட பிறகு, கணினி அந்த சிலிக்கான் தட்டை லேசாக நகர்த்தி, அதன் மீது மற்றொரு நகலை அச்சிடுகிறது.


5. அதி-தீவிர புற ஊதாக் கதிர் தொழில்நுட்பம் (extreme ultraviolet (EUV)), மூரின் விதியை (Moore’s Law) பின்பற்றி முன்னெடுத்துச் செலுத்துவதோடு, புதுமையான மின்பெருக்கி (transistor) வடிவமைப்புகள் மற்றும் சிப் கட்டமைப்புகளுக்கும் ஆதரவளிக்கிறது. 1965-ஆம் ஆண்டில், ‘Intel’ நிறுவனத்தின் இணை நிறுவனர் கார்டன் மூர், ஒரு மைக்ரோசிப்பில் உள்ள மின்பெருக்கிகளின் எண்ணிக்கை வேகமாக அதிகரித்து வருவதைக் கவனித்தார்.



6. அடுத்த பத்து ஆண்டுகளில் ஒரு மைக்ரோசிப்பில் உள்ள மின்பெருக்கிகளின் எண்ணிக்கை ஒவ்வொரு ஆண்டும் இரட்டிப்பாகும் என்று அவர் கணித்தார். பின்னர் 1975-ஆம் ஆண்டீல், இதனை ஒவ்வொரு இரண்டு ஆண்டுகளுக்கும் ஒருமுறை என அவர் மாற்றியமைத்தார். இவருடைய இந்தக் கணிப்புதான் 'மூரின் விதி' (Moore’s Law) என்று அழைக்கப்படுகிறது.


மின்பெருக்கிகள் என்பவை ஒருங்கிணைந்த மின்சுற்றுகள் (Integrated Circuits (IC)) மற்றும் மைக்ரோசிப்புகளின் மிக முக்கியமான அடிப்படை அமைப்புகள் ஆகும். அவை மின் சமிக்ஞைகளின் (Electrical signals) ஓட்டத்தைக் கட்டுப்படுத்தும் மிக நுண்ணிய மின்னணு நிலைமாற்றிகள் அல்லது பெருக்கிகள் (Amplifiers) ஆகும்.  இவை சிப்கள் தகவல்களைச் செயலாக்கவும் சேமிக்கவும் உதவுகின்றன. இவை சிலிக்கான் போன்ற குறைமின்கடத்தி பொருட்களால் செய்யப்படுபவை.


7. மூரின் விதி என்பது இயற்பியல் மற்றும் வேதியியலில் நாம் அறிந்த ஒரு இயற்கை விதி அல்ல. ஆனால், அது தொழில்நுட்ப வளர்ச்சியில் அதிக தாக்கத்தை ஏற்படுத்துகிறது. இன்று, ஒரு சிப்பில் உள்ள மின்பெருக்கிகளின் எண்ணிக்கையைத் தொடர்ந்து இரட்டிப்பாக்குவதன் மூலம், சில்லு தயாரிப்பாளர்கள் ஒவ்வொரு புதிய தலைமுறை சிப்பிலும் குறைந்த செலவில் அதிக செயல்திறனை வழங்கி வருகின்றனர்.


8. இதைச் சாத்தியமாக்க, மேம்பட்ட சிப் செயல்திறனை வழங்குவதற்காக, சிப் தயாரிப்பாளர்கள் அரிதான மூலப்பொருட்கள், மேம்பட்ட பேக்கேஜிங் தொழில்நுட்பங்கள் மற்றும் மிகவும் சிக்கலான 3D வடிவமைப்புகளை அதிகளவில் சார்ந்துள்ளனர். இங்குதான் அதி-தீவிர புற ஊதாக் கதிர் (extreme ultraviolet (EUV)) லித்தோகிராஃபி முக்கியப் பங்கு வகிக்கிறது. இது சிப் தயாரிப்பாளர்கள் மிகக் குறைந்த செலவில் சிப்பின் அளவைச் சுருக்க உதவுகிறது மற்றும் குறைமின்கடத்தித் துறை தொடர்ந்து மூரின் விதியைப் பின்பற்றி முன்னேற வழிவகுக்கிறது.






இந்தியா-நெதர்லாந்து சந்திப்பின் முக்கிய விளைவுகள் என்னென்ன?


1. இந்தியாவும் நெதர்லாந்தும் தங்களுக்கு இடையிலான இருதரப்பு உறவுகளை ஒரு 'உத்திசார் கூட்டாண்மையாக' உயர்த்துவதற்கு முடிவு செய்துள்ளன. இதற்காக, ஐந்து ஆண்டுகால (2026-30) விரிவான ஒரு கூட்டுச் செயல்பாட்டுத் திட்டத்திற்கு இருநாடுகளும் ஒப்புதல் அளித்துள்ளன.


2. இரு நாடுகளும்  குறைமின்கடத்தி (Semiconductor) ஆராய்ச்சித் துறையில் “புதிய அறிவுப் பாலம்” (Brain Bridge) ஒன்றை உருவாக்கியுள்ளன. இதற்காக ஐந்தோவன் தொழில்நுட்பப் பல்கலைக்கழகம், ட்வென்டே பல்கலைக்கழகம் மற்றும் இந்தியாவின் ஆறு முன்னணி கல்வி நிறுவனங்களான இந்திய அறிவியல் கழகம், பெங்களூரு (Indian Institute of Science, Bangalore), இந்திய தொழில்நுட்பக் கழகம், மும்பை (Indian Institute of Technology, Bombay) இந்திய தொழில்நுட்பக் கழகம், டெல்லி, இந்திய தொழில்நுட்பக் கழகம், காந்திநகர், இந்திய தொழில்நுட்பக் கழகம், கவுகாத்தி மற்றும் இந்திய தொழில்நுட்பக் கழகம், மதராஸ் ஆகியவற்றுக்கு இடையில் புரிந்துணர்வு ஒப்பந்தம் கையெழுத்திடப்பட்டுள்ளது.


3. பாதுகாப்புத் துறை ஒத்துழைப்பைப் பொறுத்தவரை, பாதுகாப்புத் தொழில் மற்றும் ஆராய்ச்சி மையங்களுக்கு இடையேயான ஒத்துழைப்பு உட்பட, இருதரப்பு இராணுவ ஒத்துழைப்பை ஒருங்கிணைப்பதற்காக, பாதுகாப்பு அமைச்சகங்கள் மற்றும் சர்வதேச இராணுவ ஒத்துழைப்பு இயக்குநரகங்களுக்கு இடையே ஒரு முறையான "முப்படை கூட்டுத் தொடர்பை" திட்டமிட அவர்கள் ஒப்புக்கொண்டனர்.


4. இடப்பெயர்வு ஒப்பந்தம் குறித்து வெளியாகியுள்ள அறிக்கையில், சட்டவிரோதமாகப் குடியேறுவது மற்றும் மனிதக் கடத்தலைத் தடுப்பதற்கும், அவற்றுக்கு எதிராகப் போராடுவதற்கும் இருநாடுகளும் ஒத்துழைப்பை வலுப்படுத்த ஒப்புக்கொண்டதாகக் கூறப்பட்டுள்ளது. அதேவேளையில், அதிகத் திறமை வாய்ந்த நிபுணர்களின் முறையான மற்றும் நியாயமான இடப்பெயர்வை ஊக்குவிக்கவும் இரு நாடுகளும் சம்மதம் தெரிவித்துள்ளன.




கேலியம் நைட்ரைடு தொழில்நுட்பம்


1. இந்த மாதத் தொடக்கத்தில், ஒன்றிய அமைச்சரவை இந்தியாவில் இரண்டு புதிய குறைமின்கடத்தி ஆலைகளுக்கு ஒப்புதல் அளித்தது. அவற்றில் ஒன்று, நாட்டின் முதல் திரை தயாரிப்பு ஆலையாக அமையக்கூடும். இவற்றுடன், குஜராத், அசாம், ஆந்திரப் பிரதேசம், உத்தரப் பிரதேசம் மற்றும் ஒடிசா போன்ற மாநிலங்களில் இந்திய குறைமின்கடத்தி இயக்கத்தின் (India Semiconductor Mission (ISM)) முதல் கட்டத்தின்கீழ் மொத்தம் 12 சிப் ஆலைகளுக்கு அரசாங்கம் ஒப்புதல் அளித்துள்ளது.


2021-ஆம் ஆண்டில் தொடங்கப்பட்ட இந்திய குறைமின்கடத்தி இயக்கத்தின் 1.0, முதல் கட்டமானது உற்பத்தி மற்றும் திரை உற்பத்தி வரை ஒரு முழுமையான சிப் சூழலமைப்பை உருவாக்குவதற்கான அரசின் ஆதரவுடனான ஒரு முயற்சியாகக் கருதப்பட்டது. இது, சிப்களை உற்பத்தி செய்யக்கூடிய  உள்கட்டமைப்பை அமைப்பதில் கவனம் செலுத்துகிறது. டாடா குழுமத்தால் அமைக்கப்படும் ஒரு உற்பத்தி ஆலை முதல், ‘Micron Technology’, ‘Tatas’, ‘CG Power’, and ‘Kaynes Semicon’, போன்ற நிறுவனங்களின் பொருத்துதல், சோதனை மற்றும் பேக்கேஜிங் ஆலைகள் வரை, சிப்களை உற்பத்தி செய்யக்கூடிய இயற்பியல் உள்கட்டமைப்பை அமைப்பதில் கவனம் செலுத்துகிறது.


பிப்ரவரி மாதம் 2026-ஆம் ஆண்டில் தொடங்கப்பட்ட இந்திய குறைமின்கடத்தி இயக்கம் 2.0, தற்போது அரசாங்கம் தனது கவனத்தை உற்பத்தி ஆலைகளைத் தாண்டி மற்றவைகளை விரிவுபடுத்திக்கொள்ள வழிவகுக்கிறது. இது குறைமின்கடத்தி உபகரணங்கள், மூலப்பொருட்கள், வேதிப்பொருட்கள், வடிவமைப்பு கருவிகள், ஆராய்ச்சி மற்றும் மேம்பாடு (R&D), பயிற்சி மற்றும் விநியோகச் சங்கிலி உறுதித்தன்மை ஆகியவற்றை உள்ளடக்கியுள்ளது.


2. ‘Crystal Matrix Ltd’ நிறுவனத்தால் மினி/மைக்ரோ-எல்இடி (Mini/Micro-LED - Light Emitting Diode) டிஸ்ப்ளே மாடல்களை தயாரிப்பதற்காக, கேலியம் நைட்ரைடு  (Gallium Nitride (GaN)) தொழில்நுட்பத்தை அடிப்படையாகக் கொண்ட ரூ. 3,068 கோடி மதிப்பிலான 'கூட்டு குறைமின்கடத்தி உற்பத்தி மற்றும் பொருத்துதல்'  ஆலைக்கு ஒப்புதல் அளிக்கப்பட்டுள்ளது.


3. குறைமின்கடத்திகள் சிலிக்கான் போன்ற பொருட்களால் ஆனவை மற்றும் ஒரு கடத்திக்கும் ஒரு மின்காப்புப் பொருளுக்கும் இடைப்பட்ட மின் கடத்துத்திறனைக் கொண்டுள்ளன. குறைமின்கடத்திகளில் அதிகமாக பயன்படுத்தப்படும் கூறு சிலிக்கான் ஆகும்.


4. கடந்த சில ஆண்டுகளில், மற்றொரு குறைமின்கடத்தியான கேலியம் நைட்ரைடு (GaN), அதிக சக்தி மற்றும் உயர் அதிர்வெண் பயன்பாடுகளுக்கு மிகவும் முக்கியமானதாக இருப்பதால், மின்னணுவியலில் தனக்கான இடத்தைப் பெற்று வருகிறது.


5. கேலியம் நைட்ரைடு (GaN) என்பது சிலிக்கானுக்கு ஒரு சிறந்த மாற்றாகக் கருதப்படும் ஒரு பொருளாகும். சிலிக்கானுடன் ஒப்பிடும்போது, இது நீண்டநேரத்திற்கு அதிக மின்னழுத்தத்தைக் கடத்துவதில் மிகவும் சிறந்தது. மேலும், இது மின்சாரம் வேகமாகப் பாய்வதற்கும் அனுமதிக்கிறது.


6. கேலியம் நைட்ரைடு மிகக் குறைவான வெப்பத்தையே வெளியிடுவதால், இதன் கட்டமைப்புகளை மற்ற பொருட்களுடன் ஒப்பிடும்போது மிகவும் நெருக்கமாக அடுக்க முடியும். இதன் காரணமாக ஒட்டுமொத்த சாதனத்தின் அளவும் மிகவும் சிறியதாக இருக்கும்.














குறைமின்கடத்தி ஆலை

இடம்

டாடா எலக்ட்ரானிக்ஸ் குறைமின்கடத்தி ஆலை

குஜராத்

மைக்ரான் தொழில்நுட்பம்

குஜராத்

கெய்ன்ஸ் குறைமின்கடத்தி

குஜராத்

சிஜி குறைமின்கடத்தி

குஜராத்

கிரிஸ்டல் மேட்ரிக்ஸ்

குஜராத்

சுச்சி செமிகான்

குஜராத்

டாடா எலக்ட்ரானிக்ஸ் அசெம்பிளி யூனிட்

அஸ்ஸாம்

எச்.சி.எல்-ஃபாக்ஸ்கான்

உத்தரப் பிரதேசம்

SIC குறைக்கடத்தி

ஒடிசா

3D கண்ணாடி தீர்வுகள்

ஒடிசா

தொகுப்பு தொழில்நுட்பங்களில் மேம்பட்ட அமைப்பு

ஆந்திர பிரதேசம்

கான்டினென்டல் சாதனம்

பஞ்சாப்

Original link:

India’s semiconductor push: EUV lithography and GaN technology.


Share: